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IRFP26N60L	文件：198.47 Kbytes Page：9 Pages	SMPS MOSFET FeaturesandBenefits •Superfastbodydiodeeliminatestheneedforexternal diodesinZVSapplications •LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements •EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness •HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity Applica	IRF International Rectifier	IRF
IRFP26N60L	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60L	文件：444.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.25Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP26N60L	文件：220.74 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Superfastbodydiodeeliminatestheneedfor externaldiodesinZVSapplications •Lowergatechargeresultsinsimplerdrive requirements •EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness •Highergatevoltagethresholdoffersimprovednoise immunity •Materialcategoriza	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60L	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60L_V01	文件：220.74 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Superfastbodydiodeeliminatestheneedfor externaldiodesinZVSapplications •Lowergatechargeresultsinsimplerdrive requirements •EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness •Highergatevoltagethresholdoffersimprovednoise immunity •Materialcategoriza	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60LPBF	文件：206.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(on)typ. = 210m廓 , Trr typ. = 170ns , ID = 26A ) FeaturesandBenefits •Superfastbodydiodeeliminatestheneedforexternal diodesinZVSapplications •LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements •EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness •HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity •Lead-	IRF International Rectifier	IRF
IRFP26N60LPBF	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60LPBF	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFP26N60L
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 26 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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