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IRFI3710	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) 文件：161.21 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI3710	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFN3710	文件：132.03 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A) 100 Volt, 0.028Ω, HEXFET Generation 5 HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design for which HEXFETs are well known, prov 文件：132.03 Kbytes 页数：4 Pages	IRF	IRF
IRFN3710	文件：46.66 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNEL POWER MOSFET 文件：46.66 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFP3710	文件：185.43 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：185.43 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

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