IRFI630技术资料参数供应商报价仙童半导体-114ic电子网

首页 >IRFI630>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFI630	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. Features • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 22 nC) • Low Crss ( typical 22 pF) • Fast switching • 100 av 文件：648.95 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFI630	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.9A) 200V N-Channel MOSFET 文件：176.76 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI630	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFI630B	文件：1.03019 Mbytes Page：8 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. Features • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 22 nC) • Low Crss ( typical 22 pF) • Fast switching • 100 av 文件：1.03019 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFI630B	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. Features • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 22 nC) • Low Crss ( typical 22 pF) • Fast switching • 100 av 文件：648.95 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFI630G	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.55776 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI630G	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.9A) 200V N-Channel MOSFET 文件：176.76 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI630GPBF	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.55776 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI630G	文件：921.1 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：921.1 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI630G_V01	文件：921.1 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：921.1 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRFI630
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
200V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRFI630	IR	05+	TO220	4880	自己公司全新库存绝对有货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRFI630	KERSEMI	21+	TO-220F	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFI630	IR	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRFI630	75700	23+	10	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFI630	KERSEMI	23+	TO-220F	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRFI630	KERSEMI	23+	TO-220F	7000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRFI630G	IR	2015+	TO-220F	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFI630G	IR	24+	TO220	63258		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IRFI630GPBF	IR		TO220	900	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRFI630G	IR	24+	原厂封装	5000	原装现货假一罚十	询价

更多IRFI630供应商更新时间2025-11-19 10:31:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号