| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-220 |
27 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRTO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌to220f |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IRTO220 |
4880 |
06+ |
自己公司全新库存绝对有货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRto220f |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220F |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYTO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Infineon TechnologiesTO-220AB 整包 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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Infineon/英飞凌FULLPAK220 |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ITO-220F |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220F |
1781 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixTO-220-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-220F |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳万胜威节能科技有限公司3年
留言
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6000 |
22 |
全新、原装 |
IRFI530采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFI530图片
IRFI530NPBF价格
IRFI530NPBF价格：￥1.8172品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFI530NPBF多少钱，想知道IRFI530NPBF价格是多少？参考价：￥1.8172。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFI530NPBF批发价格及采购报价，IRFI530NPBF销售排行榜及行情走势，IRFI530NPBF报价。
IRFI530NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFI530功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-220AB
IRFI530A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFI530ATU功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI530G功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI530GPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFI530N功能描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFI530NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
IRFI530NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
