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IRFI9520G	文件：182.04 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9520G	文件：1.46266 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9520GPBF	文件：1.08262 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRFS9520	文件：319.54 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS9520	文件：270.7 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISL9520	文件：162.97 Kbytes Page：2 Pages	NarrowVDCRegulator/ChargerwithSMBusInterface Applications •Ultrabooks •Notebookcomputers •TabletPCs •Portableequipmentwithrechargeablebatteries Features •±0.5systemvoltageaccuracy(-10°Cto+100°C) •±3accurateinputcurrentlimit(-10°Cto+100°C) •±3accuratebatterychargecurrentlimit •Variableswitchingfreq	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL9520HRTZ	文件：162.97 Kbytes Page：2 Pages	NarrowVDCRegulator/ChargerwithSMBusInterface Applications •Ultrabooks •Notebookcomputers •TabletPCs •Portableequipmentwithrechargeablebatteries Features •±0.5systemvoltageaccuracy(-10°Cto+100°C) •±3accurateinputcurrentlimit(-10°Cto+100°C) •±3accuratebatterychargecurrentlimit •Variableswitchingfreq	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL9520HRTZ-T	文件：162.97 Kbytes Page：2 Pages	NarrowVDCRegulator/ChargerwithSMBusInterface Applications •Ultrabooks •Notebookcomputers •TabletPCs •Portableequipmentwithrechargeablebatteries Features •±0.5systemvoltageaccuracy(-10°Cto+100°C) •±3accurateinputcurrentlimit(-10°Cto+100°C) •±3accuratebatterychargecurrentlimit •Variableswitchingfreq	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KMB9520	文件：676.25 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF9520NSTRR
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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