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IRF9620SPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFETs technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The D2PAK (T 文件：177.61 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9620SPBF	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • P-channel • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides informa 文件：200.45 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9620SPBF	文件：1.0558 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processingof the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. • Surface M 文件：1.0558 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9620STRLPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFETs technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The D2PAK (T 文件：177.61 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9620STRLPBFA	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • P-channel • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides informa 文件：200.45 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI9620G	文件：1.67603 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.67603 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRF9620SPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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