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IRF9520S	文件：184.39 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •Dynamicdv/dtRaging •RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
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IRF9520SPBF	文件：992.8 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •Dynamicdv/dtRaging •RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520STRLPBFA	文件：201.59 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9520STRRPBFA	文件：201.59 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9520G	文件：844.68 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •P-channel •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9520G	文件：182.04 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9520G	文件：1.46266 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9520GPBF	文件：1.08262 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF9520NS
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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