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IRF540ZL	文件：310.12 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 26.5mΩ ID = 36A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating te 文件：310.12 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF540ZLPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 26.5mΩ ID = 36A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating te 文件：349.55 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF540ZPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 26.5mΩ ID = 36A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating te 文件：349.55 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF540ZPBF	文件：1.63385 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Isolated DC/DC Converters 文件：1.63385 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF540ZS	文件：310.12 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 26.5mΩ ID = 36A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating te 文件：310.12 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF540ZS	文件：189.48 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With To-263(D2PAK) package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications 文件：189.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF540ZSPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 26.5mΩ ID = 36A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating te 文件：349.55 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF540_03	文件：311.12 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 100V - 0.055廓 - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET 文件：311.12 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
IRF540_17	文件：282.81 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：282.81 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF540A	文件：280.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

PC：
2.0
ID：
27
VDSS：
100
Vth(min)：
2
RDS：
80
VGS(RDS)：
10
Package：
TO-220F

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