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IRF540ZLPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZPBF	文件：1.63385 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF540ZS	文件：310.12 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZS	文件：189.48 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540ZSPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540_03	文件：311.12 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 100V - 0.055廓 - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF540_17	文件：282.81 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF540A	文件：280.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRF540
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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