IRF540ZS
文件:310.12Kbytes
Page:12Pages
AUTOMOTIVE MOSFET
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
IRF540ZS
文件:308Kbytes
Page:13Pages
Advanced Process Technology
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
IRF540ZS
文件:189Kbytes
Page:2Pages
Isc N-Channel MOSFET Transistor
ISCInchange Semiconductor Company Limited
Inchange Semiconductor Company Limited
文件:349.55Kbytes
Page:12Pages
AUTOMOTIVE MOSFET
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
文件:384Kbytes
Page:12Pages
Advanced Process Technology
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
文件:384Kbytes
Page:12Pages
Advanced Process Technology
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
文件:308Kbytes
Page:13Pages
Advanced Process Technology
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
文件:384Kbytes
Page:12Pages
Advanced Process Technology
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
Infineon Technologies
2020+
原装
1068
原装正品
一级代理
一级代理
一级代理
46100
一级代理放心采购
IR
2020+
D2-PAK
9450
市场最低价绝对原装现货!假一赔十
IR
21+
TO-263
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IR代理
21+
TO-263
22800
原装,正品
INFINE0N
20+
D2PAK (TO-263)
32568
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
15+
TO-
7844
绝对公司原装现货
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原装,现货库存长期供应
IR
10+
D2-pak
20000
IRF540ZS功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF540ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF540ZSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
