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IRF540ZS	文件：189.48 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540ZS	文件：310.12 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZS	文件：308.2 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZSPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZSPBF	文件：384.04 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZSPBF	文件：384.04 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZSTRL	文件：308.2 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540ZSTRLPBF	文件：384.04 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF540ZS
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRF540ZS供应商更新时间2025-7-23 16:26:00

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