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IRF540	文件：1.1052 Mbytes Page：4 Pages	N -Channel Power MOSFET (100V/27A) GENERALDESCRIPTION ItusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Thisdeviceissuitableforhighcurrentloadapplications. FEATURE ●Highcurrentrating ●UltralowerRDS(on) ●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS ●Excellentpack	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF540	文件：1.15286 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=30A,RDS(ON)≤70mΩ@VGS=10V 2)Lowgatecharge. 3)Greendeviceavailable. 4)Advancedhig	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRF540	文件：156.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540	文件：2.80519 Mbytes Page：7 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Lead(Pb)-freeAvailable	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
IRF540	文件：308.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=77mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedespeciallyforhi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540	文件：259.48 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronics uniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesigned tominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itis thereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency, high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfor Telecoman	SYC SYC Electronica	SYC
IRF540	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF540	文件：282.81 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540	文件：311.12 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 100V - 0.055廓 - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF540_V01	文件：156.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF540
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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