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IRF3808STRRPBF	文件：347.21 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved 文件：347.21 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808L	文件：300.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808PBF_15	文件：251.94 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：251.94 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF3808S	文件：189.54 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3808SLPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808SPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808SPBF_15	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：264.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3808S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3808STRLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF3808PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
7 mΩ
ID @25°C max：
140 A
QG typ @10V：
150 nC
Special Features：
Wide SOA
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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