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IRF3808S中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF3808S

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:06:00

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IRF3808S规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF3808S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF3808STRLPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :D2PAK

  • VDS max

    :75 V

  • RDS (on) @10V max

    :7 mΩ

  • ID @25°C max

    :106 A

  • QG typ @10V

    :150 nC

  • Special Features

    :Wide SOA

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2025+
SOT-263
32560
原装优势绝对有货
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IR
25+23+
TO263
72121
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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23+
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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IR
23+
TO-263
35890
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IR
17+
D2PAK
6200
100%原装正品现货
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Infineon/英飞凌
21+
D2PAK
6820
只做原装,质量保证
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-
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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INFINEON/英飞凌
2023+
TO-263
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IR
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
14100
原装正品
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