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IRFR3711TRPBF	文件：237.77 Kbytes Page：11 Pages	HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3711Z	文件：219.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3711Z	文件：223.73 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3711Z	文件：4.21595 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3711Z	文件：336.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤5.7mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3711ZCPBF	文件：4.28194 Mbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3711ZCPBF	文件：293.94 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3711ZCPBF	文件：4.28184 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3711ZPBF	文件：267.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRF3711ZCSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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