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LM3000SQ/NOPB	文件：1.81313 Mbytes Page：41 Pages	DualSynchronousEmulatedCurrent-ModeController	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LM3000SQSLASHNOPB	文件：1.81313 Mbytes Page：41 Pages	DualSynchronousEmulatedCurrent-ModeController	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LM3000SQX	文件：815.39 Kbytes Page：26 Pages	DualSynchronousEmulatedCurrent-ModeController	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LOU3000	文件：196.21 Kbytes Page：6 Pages	HighBrightnessLEDLamp	LUXPIA luxpia	LUXPIA
LP3000	文件：44.96 Kbytes Page：2 Pages	2WPOWERPHEMT DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP3000isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirectwrite0.25mmby3000mmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructureminim	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
LP3000	文件：49.74 Kbytes Page：2 Pages	2WPowerPHEMT DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP3000isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirect-write0.25µmby3000µmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructureminim	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
LPV3000	文件：49.74 Kbytes Page：2 Pages	2WPowerPHEMT DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP3000isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirect-write0.25µmby3000µmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructureminim	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
LRU3000	文件：100.46 Kbytes Page：6 Pages	HighBrightnessLEDLamp	LUXPIA luxpia	LUXPIA
LUCW3000CCN	文件：327.37 Kbytes Page：28 Pages	W3000PLLDual-BandFrequencySynthesizer Description TheW3000isahigh-performanceUHFRFPLLsynthesizer,designedforuseindigitalwirelesscommunicationapplications.Particularemphasisinthedesignhasbeenplacedondual-bandapplications,withnear-seamlessswitchingbetweenoperationalbandswithouttheneedforexternallo	agere Agere Systems	agere
LUCW3000CCN-TR	文件：327.37 Kbytes Page：28 Pages	W3000PLLDual-BandFrequencySynthesizer Description TheW3000isahigh-performanceUHFRFPLLsynthesizer,designedforuseindigitalwirelesscommunicationapplications.Particularemphasisinthedesignhasbeenplacedondual-bandapplications,withnear-seamlessswitchingbetweenoperationalbandswithouttheneedforexternallo	agere Agere Systems	agere

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详细参数

型号：
IRF3000
功能描述：
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRF3000	IOR	24+	QFP-48	20		询价
深圳市星佑电子有限公司	IRF3000	IOR	05+	原厂原装	5051	只做全新原装真实现货供应	询价
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