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IRF3000	文件：120.97 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Applications High frequency DC-DC converters Benefits Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：120.97 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF3000	文件：300 bytes Page：1 Pages	SMPS MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3000PBF	文件：129.46 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications High frequency DC-DC converters Lead-Free Benefits Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：129.46 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
JTOS-3000	文件：458.35 Kbytes Page：2 Pages	Voltage Controlled Oscillator 文件：458.35 Kbytes 页数：2 Pages	MINI	MINI
JTOS-3000+	文件：458.35 Kbytes Page：2 Pages	Voltage Controlled Oscillator 文件：458.35 Kbytes 页数：2 Pages	MINI	MINI
K3000	文件：644.88 Kbytes Page：6 Pages	High voltage lamp ignitors 文件：644.88 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

详细参数

型号：
IRF3000
功能描述：
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF3000供应商更新时间2025-10-4 16:18:00

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