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IRF331	文件：208.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF331	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF331	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF331	文件：49.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds •IDSS,VDS(on),SOAandVGS(th)specifiedatElevatedtemperature •Rugged APPLICATIONS •Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcont	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315	文件：124.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤70mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315L	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315L	文件：300.35 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315LPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF331
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRF331	IR	24+	TO-3	10000		询价
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更多IRF331供应商更新时间2025-5-28 10:50:00

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