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IRF3315规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF3315
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
IR |
25+23+ |
TO-220 |
24856 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-220AB |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
22+ |
D2-pak |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-220AB |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IOR |
25+ |
TO220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
50 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 |
