| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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5年
留言
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INFINEON/IR |
700 |
14+ |
TO-220-3 |
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12年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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13年
留言
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KOREA金封TO-3P |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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8年
留言
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MTO-3 |
1 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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17年
留言
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IRTO-3 |
10000 |
24+ |
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3年
留言
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IRTO-3 |
7000 |
23+ |
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3年
留言
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IRTO-3 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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16年
留言
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IRTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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16年
留言
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IRTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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10年
留言
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IRTO-3 |
52699 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
3000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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5年
留言
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IRTO-3 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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15年
留言
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SILICONLMTO-3 |
1000 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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6年
留言
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IRTO-3 |
1000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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8年
留言
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N/A |
70000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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1年
留言
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IRTO-3 |
1000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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18年
留言
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HARRIS原厂原装 |
4235 |
06+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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13年
留言
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IRTO-3(铁帽) |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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6年
留言
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ON/安森美TO-3P |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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IRF331-I价格
IRF331-I价格:¥25.7706品牌:Semiconductors
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IRF331中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF331制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
IRF3314STRL功能描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3314STRR功能描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315功能描述:MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF3315L功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315LPBF功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315PBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 21A 70mOhm 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3315S功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

























