| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
10049 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRD2-PAK |
2350 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
24250 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
6294 |
10+ |
只做原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
50 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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700 |
14+ |
TO-220-3 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
1200 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
27050 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO263 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263-5 |
1600 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市博正芯科技有限公司4年
留言
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INFINEONTO220 |
4000 |
21+ |
INFINEON专卖,进口原装深圳现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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ON/安森美TO-3P |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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MTO-3 |
1 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
IRF331采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF331图片
IRF331-I价格
IRF331-I价格：￥25.7706品牌：Semiconductors
生产厂家品牌为Semiconductors的IRF331-I多少钱，想知道IRF331-I价格是多少？参考价：￥25.7706。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF331-I批发价格及采购报价，IRF331-I销售排行榜及行情走势，IRF331-I报价。
IRF331中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF331制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
IRF3314STRL功能描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3314STRR功能描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315功能描述:MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF3315L功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315LPBF功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315PBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 21A 70mOhm 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3315S功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
