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IRF3315L中文资料IRF数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF3315L

功能描述

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)

文件大小

197.25 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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IRF3315L规格书详情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRF3315S)

● Low-profile through-hole (IRF3315L)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

产品属性

  • 型号:

    IRF3315L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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