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ONET2804TY	文件：518.48 Kbytes Page：6 Pages	28Gbps4-ChannelLimitingTIA	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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P2804BVG	文件：1.03464 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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P2804HVG	文件：1.0888 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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P2804NVG	文件：1.16599 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features •N-Channel:60V,6A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
PAM2804	文件：461.06 Kbytes Page：10 Pages	1ASTEP-DOWNCONSTANTCURRENT,HIGHEFFICIENCYLEDDRIVER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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详细参数

型号：
IRF2804STRR
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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