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IRF2804STRR7PP

Advanced Process Technology

文件:298.26 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

JAN2804J

HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS

文件:102.78 Kbytes 页数:7 Pages

Microsemi

美高森美

JAN2804J

HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS

文件:253.57 Kbytes 页数:7 Pages

Microsemi

美高森美

KA2804

LINEAR INTEGRATED CIRCUIT

文件:73.33 Kbytes 页数:3 Pages

Samsung

三星

详细参数

  • 型号:

    IRF2804STR

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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T0263-7
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更多IRF2804STR供应商 更新时间2025-12-17 14:14:00