| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Advanced Process Technology 文件：279.7 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：214.2 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：214.2 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.14 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Advanced Process Technology 文件：279.7 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：279.7 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.47 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Advanced Process Technology 文件：294.32 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET짰 Power MOSFET 文件：291.97 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：294.32 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- OPN：
IRF100B201
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
TO220
- VDS max：
100 V
- RDS (on) @10V max：
4.2 mΩ
- ID @25°C max：
192 A
- QG typ @10V：
170 nC
- Polarity：
N
- VGS(th) min：
2 V
- VGS(th) max：
4 V
- VGS(th)：
3 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
263 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
263 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
263 |
7000 |
询价 | |||
SAMSUNG |
25+ |
TO-220 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
询价 | ||
IR |
TO |
1100 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
VishayDale |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
0 |
询价 | ||||||
20+ |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||||
Fairchi |
24+ |
DXPAK |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 |
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更新时间2026-1-18 10:01:00
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