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IRF323	文件：213.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF330	文件：208.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF330	文件：59.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •DrainCurrentID=5.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •Highvoltage,highspeedapplications •Off-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDC motorco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF330	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF330	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	IRF330-333/IRF730-733 MTM/MTP5N35/5N40 N-Channel Power MOSFETs Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF330	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	IRF330-333/IRF730-733 MTM/MTP5N35/5N40 N-Channel Power MOSFETs Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF330	文件：58.19 Kbytes Page：7 Pages	5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF330	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF330	文件：146.64 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF330-333	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF	IR	22+	263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市锦达世纪科技有限公司	IRFK6H054IR模块				0		询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRFR3412TRPBF	5002	24+	SOP	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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更多IRF供应商更新时间2025-6-28 14:00:00

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