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IRF300P226	文件：1.06512 Mbytes Page：17 Pages	StrongIRFET™ Applications UPSandInverterapplications Half-bridgeandfull-bridgetopologies Resonantmodepowersupplies DC/DCandAC/DCconverters OR-ingandredundantpowerswitches BrushedandBLDCMotordriveapplications Batterypoweredcircuits Benefits ImprovedGate,Avalan	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF320	文件：67.83 Kbytes Page：7 Pages	2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF320	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF320	文件：213.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF320-323	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF3205	文件：92.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205L	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205PBF	文件：176.66 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205PBF.	文件：92.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF	IR	22+	263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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