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IRF320LSPBF	文件：277.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFE	IRF International Rectifier	IRF
IRF321	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF321	文件：67.83 Kbytes Page：7 Pages	2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF321	文件：213.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF321	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor DESCRIPTION •DrainCurrentID=3.3A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage:VDSS=350V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=2.5Ω(Max) APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF322	文件：213.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF322	文件：67.83 Kbytes Page：7 Pages	2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF322	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF323	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF323	文件：67.83 Kbytes Page：7 Pages	2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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详细参数

型号：
IRF
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF	IR	22+	263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市海天鸿电子科技有限公司	IRF4905SPBF	IR	1725+	?	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	IRFB4110PBF	IR-韩国产	2020+	TO-220	16402	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	IRF7103TRPBF	IOR	25+	SOP8	3000	强调现货,随时查询!	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRFR3412TRPBF	5002	24+	SOP	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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更多IRF供应商更新时间2025-6-28 14:00:00

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