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IRF133	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF133	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF133	文件：48.14 Kbytes Page：2 Pages	High Power,High Speed Applications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFF133	文件：161.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω	GESS GE Solid State	GESS
IRFP133	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFS133	文件：265.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS133	文件：343.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JH-133	文件：172.42 Kbytes Page：2 Pages	QuadratureHybrid,20-40MHz Features •OctaveBandwidth •3°MaximumPhaseDeviationfrom90° •Lowloss:0.5dBMax. •Impedance:50OhmsNom. •InputPower:5W.Max.@25°C Deratedto1W.@100°C •TypicalPhaseLinearity:3°fromStraightLine •MIL-STD-202ScreeningAvailable	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
JH-133	文件：99.75 Kbytes Page：3 Pages	QuadratureHybrid,20-40MHz Description 3dBHybridsareidealfordividingasignalintotwosignalsofequalamplitudeandaconstant90oor180ophasedifferentialandforQuadraturecombiningorperformingsummation/differentialcombining. Features •OctaveBandwidth •3oMaximumPhaseDeviationfrom90° •LowLoss	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
JH-133PIN	文件：99.75 Kbytes Page：3 Pages	QuadratureHybrid,20-40MHz Description 3dBHybridsareidealfordividingasignalintotwosignalsofequalamplitudeandaconstant90oor180ophasedifferentialandforQuadraturecombiningorperformingsummation/differentialcombining. Features •OctaveBandwidth •3oMaximumPhaseDeviationfrom90° •LowLoss	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM

详细参数

型号：
IRF133
制造商：
Harris Corporation
制造商：
International Rectifier

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深圳市一线半导体有限公司	IRF133	IR	24+	TO-3	10000		询价
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更多IRF133供应商更新时间2025-5-23 16:30:00

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