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IRF350-353	文件：117.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF351	文件：117.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF351	文件：212.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF3515L	文件：126.81 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRF3515S	文件：126.81 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRF3515SPBF	文件：2.74862 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRF352	文件：117.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF352	文件：212.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF352	文件：48.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •siliconGateforfastswitchingatelevate •rugged APPLICATIONS •highvoltage,highspeedapplicationssuchasoff-lineSwitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrolsrelayandsolenoiddriver.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF353	文件：212.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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详细参数

型号：
IRF
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF	IR	22+	263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF	IR	23+	263	7000		询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRFR3412TRPBF	5002	24+	SOP	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRFB4110PBF	IR-韩国产	2020+	TO-220	16402	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF9952	IRF	24+	SOP-8P	400	现货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRFD123	IR	17+	DIP-4	6200	100%原装正品现货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	IRFR230BTF_FP001	Fairchi	24+	DXPAK	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	IRFTS8342TRPBF	IR	23+	NA	2860	原装正品代理渠道价格优势	询价

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