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IRF140	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF140	文件：55.94 Kbytes Page：7 Pages	28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF140	文件：144.37 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF140-143	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF1404	文件：107.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404	文件：2.99281 Mbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404	文件：139.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellk	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1404L	文件：1.19651 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynam	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404L	文件：306.92 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynamicdv/dtRating l175°COperatingTemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404LPBF	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF	IR	22+	263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF	IR	23+	263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF	IR	23+	263	7000		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRFB4110PBF	IR-韩国产	2020+	TO-220	16402	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	IRFR230BTF_FP001	Fairchi	24+	DXPAK	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	IRF4905SPBF	IR	1725+	?	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRFD123	IR	17+	DIP-4	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRFR3412TRPBF	5002	24+	SOP	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRF3710L	IR	23+	TO-262	35890		询价

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