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IKI04N60T	文件：566.91 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKI04N60TXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 8A 42W TO262-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP04N60T	文件：566.91 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP04N60T	文件：365.68 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP04N60T	文件：505.15 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKU04N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKU04N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ISA04N60A	文件：150.21 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET Applications: •Adaptor •TVMainPower •SMPSPowerSupply •LCDPanelPower Features: •RoHSCompliant •LowONResistance •LowGateCharge •ESDimprovedCapability	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
M04N60	文件：259.399 Kbytes Page：2 Pages	NChannelMOSFET NChannelMOSFET ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode	STANSON Stanson Technology	STANSON
MCPF04N60	文件：535.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
IKI04N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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