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IKW30N60T	文件：397.74 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60T	文件：506.16 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60T_15	文件：506.16 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60TA	文件：671.46 Kbytes Page：14 Pages	Designed for DC/AC converters for Automotive Application	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60TAFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFPS30N60K	文件：138.37 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPS30N60K	文件：136.66 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS30N60KPBF	文件：135.75 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching ●Lead-Free Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitan	IRF International Rectifier	IRF
IXFA30N60X	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IKW30N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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