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IXGH30N60	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH30N60A	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXSH30N60	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOAcapability •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity •Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IKW30N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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