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IXGM30N60	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGM30N60	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-204AE 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：POWER MOSFET TO-3	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGM30N60A	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
AIKW30N60CT	文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AR30N60	文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
DAM30N60C	文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM30N60F	文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM30N60S	文件：242.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGA30N60LSD	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G30N60	文件：178.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60	文件：221.78 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G30N60	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60	文件：105.22 Kbytes Page：7 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G30N60	文件：191.86 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwith TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderat	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
IXGM30N60
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，30A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/500ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AE
供应商器件封装：
TO-204AE
描述：
POWER MOSFET TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IXGM30N60	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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深圳市一线半导体有限公司	IXGM30N60A		02+		45		询价
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更多IXGM30N60供应商更新时间2024-5-23 9:02:00

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