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IXGP36N60A3	文件：227.76 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：227.76 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP36N60A3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP36N60A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 低频IGBT	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGP36N60A3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP36N60A3_09	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多IXGP36N60A3供应商更新时间2025-12-24 9:53:00