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IXGN50N60B	文件：118.38 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTTM IGBT Features •InternationalstandardpackageSOT-227B •Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation •Isolationvoltage3000V~ •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-ondrivesimplicity •Lowcollector-to-cas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGN50N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 75A 300W SOT227B	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGN50N60BD2	文件：147.07 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFAST IGBT with HiPerFRED HiPerFAST™IGBTwithHiPerFRED Buck&boostconfigurations Features •InternationalstandardpackageminiBLOC •Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation •Isolationvoltage3000V~ •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT&FREDdiode •MOSGateturn-on-drivesim	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGN50N60BD3	文件：147.07 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFAST IGBT with HiPerFRED HiPerFAST™IGBTwithHiPerFRED Buck&boostconfigurations Features •InternationalstandardpackageminiBLOC •Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation •Isolationvoltage3000V~ •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT&FREDdiode •MOSGateturn-on-drivesim	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGN50N60BD2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGN50N60BD3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60	文件：242.78 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStopII	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
50N60	文件：153.27 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60	文件：173.07 Kbytes Page：5 Pages	Polar3HiperFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60G-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
50N60L-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AIKW50N60CT	文件：1.97708 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
DAM50N60C	文件：277.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM50N60G	文件：234.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DTGN50N60	文件：1.47824 Mbytes Page：10 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGA50N60LS	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW50N60H	文件：645.08 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW50N60HD	文件：646.63 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW50N60VD	文件：671.72 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G50N60F	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
IXGN50N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
系列：
HiPerFAST™
包装：
散装
配置：
单路
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：
SOT-227B
描述：
IGBT MOD 600V 75A 300W SOT227B

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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