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IXGP2N100A	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT IGBTs ·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGP2N100A	文件：85.86 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage IGBT 文件：85.86 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP2N100A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 4A 25W TO220AB	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA2N100	文件：294.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA2N100	文件：152.49 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated High Voltage MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • Low Package Inductance ( 文件：152.49 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA2N100P	文件：298.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
IXGP2N100A
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，2A
开关能量：
260µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/300ns
测试条件：
800V，2A，150 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB

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