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IXGP2N100A	文件：85.86 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage IGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP2N100A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 4A 25W TO220AB	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTA2N100P	文件：153.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated PolarPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity Applications:	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTP2N100P	文件：294.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤7.5Ω@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Switch-ModeandResonant-M	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
IXGP2N100A
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，2A
开关能量：
260µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/300ns
测试条件：
800V，2A，150 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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