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IXGP20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

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IXYS

艾赛斯

IXGP20N120BD1

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 40A 190W TO220

IXYS

艾赛斯

IXGQ20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

Features ● International standard package ● IGBT and anti-parallel FRED for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM Advantages ● Saves space (two

文件:598.7 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

文件:495.03 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGP20N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    2.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/150ns

  • 测试条件:

    960V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 190W TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGP20N120BD1供应商 更新时间2025-10-23 10:18:00