选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯PMPAK-5X6 |
18 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-247AD |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IXYS场效应 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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59 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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MODULE |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-247AD |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
48900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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IXYS/艾赛斯PMPAK-5X6 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯PMPAK-5X6 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IXYSROHS |
5632 |
2016+ |
只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上有 |
IXSH30N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXSH30N60图片
IXSH30N60BD1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXSH30N60制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH30N60A制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH30N60AU1功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH30N60B功能描述:IGBT 晶体管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH30N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH30N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH30N60C功能描述:IGBT 晶体管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH30N60CD1功能描述:IGBT 晶体管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH30N60U1功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube