IKW30N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | IKW30N60T | 
| 参数属性 | IKW30N60T 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3 | 
| 功能描述 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode | 
| 封装外壳 | TO-247-3 | 
| 文件大小 | 397.74 Kbytes | 
| 页面数量 | 13 页 | 
| 生产厂商 | Infineon | 
| 中文名称 | 英飞凌 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 15:18:00 | 
| 人工找货 | IKW30N60T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
IKW30N60T规格书详情
IKW30N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKW30N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
• Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)
• Maximum Junction Temperature 175 °C
• Short circuit withstand time – 5µs
• Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterruptible Power Supply
• Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
• Positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Low Gate Charge
• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
产品属性
更多- 产品编号:IKW30N60TFKSA1 
- 制造商:Infineon Technologies 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 
- 系列:TrenchStop® 
- 包装:管件 
- IGBT 类型:沟槽型场截止 
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,30A 
- 开关能量:1.46mJ 
- 输入类型:标准 
- 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/254ns 
- 测试条件:400V,30A,10.6 欧姆,15V 
- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-247-3 
- 供应商器件封装:PG-TO247-3-1 
- 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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