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IKW30N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKW30N60T
厂商型号

IKW30N60T

参数属性

IKW30N60T 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3

功能描述

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

文件大小

397.74 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:22:00

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IKW30N60T规格书详情

IKW30N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKW30N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

• Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)

• Maximum Junction Temperature 175 °C

• Short circuit withstand time – 5µs

• Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterruptible Power Supply

• Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

- low VCE(sat)

• Positive temperature coefficient in VCE(sat)

• Low EMI

• Low Gate Charge

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IKW30N60TFKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    1.46mJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/254ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10.6 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3

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