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IKW25N120T2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IKW25N120T2 |
| 参数属性 | IKW25N120T2 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3 |
| 功能描述 | IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO-247-3 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
464.33 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 12:00:00 |
| 人工找货 | IKW25N120T2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IKW25N120T2规格书详情
IKW25N120T2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKW25N120T2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IKW25N120T2FKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，25A
- 开关能量：
2.9mJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/265ns
- 测试条件：
600V，25A，16.4 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
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