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K25T1202

文件：464.33 Kbytes

Page：15 Pages

型号：IKW25N120T2；Package：PG-TO-247-3；IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

  • 型号：

    K25T1202

  • 功能描述：

    IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压：

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压：

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流：

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封装/箱体：

    TO-247

  • 封装：

    Tube

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