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IKW40N120H3	文件：2.19149 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K40H1203；Package：PG-TO247-3；1200V high speed switching series third generation Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt 文件：2.19149 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKW40N120H3	文件：342.1 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Anti-Parallel Fast Diode · Avalanche Rated · Short Circuit Capability APPLICATIONS · Power Inverters · UPS · Motor Drives 文件：342.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IKW40N120H3	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、40 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装高速 1200 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT4，采用TO-24封装的续流二极管装，提供开关和传导损耗之间的折中方案。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为，实现了低关断损耗。 • 专门设计用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET。\n• 高效率，低开关损耗\n• 借助英飞凌卓越的 TRENCHSTOP™ 技术，实现了出色的 VCEsat 行为。\n• 快速开关行为，低电磁干扰辐射\n• 针对目标应用的优化二极管，意味着进一步改善开关损耗\n• 在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电荷选择（低至 5Ω）\n• 短路容量\n• 提供最高175°C的 Tj\n• 可带或可不带续流二极管的封装，增加了设计自由度\n\n优势:\n• 低开关和传导损耗\n• 非常好的电磁干扰行为\n• 可以与小型栅极电阻一起使用，以减少延迟时间和电压过冲。\n• 高电;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW40N120H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 483W TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
20 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
1200 V
IC @ 100° max：
40 A
VCE(sat)：
2.05 V
Qualification：
Industrial
Eon：
3.2 mJ
Eoff Hard Switching：
1.2 mJ
IF max：
40 A
Qrr：
1900 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
30 ns
tr：
57 ns
td(off)：
290 ns
tf：
16 ns
QGate：
185 nC
IC @ 25° max：
80 A
IFpuls max：
160 A
VF：
2.4 V
Irrm：
12.8 A
ICpuls max：
160 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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