IKW40N120H3中文资料1200 V、40 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

高速 1200 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT4，采用TO-24封装的续流二极管装，提供开关和传导损耗之间的折中方案。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为，实现了低关断损耗。

特性 Features

• 专门设计用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET。
• 高效率，低开关损耗
• 借助英飞凌卓越的 TRENCHSTOP™ 技术，实现了出色的 VCEsat 行为。
• 快速开关行为，低电磁干扰辐射
• 针对目标应用的优化二极管，意味着进一步改善开关损耗
• 在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电荷选择（低至 5Ω）
• 短路容量
• 提供最高175°C的 Tj
• 可带或可不带续流二极管的封装，增加了设计自由度

优势:
• 低开关和传导损耗
• 非常好的电磁干扰行为
• 可以与小型栅极电阻一起使用，以减少延迟时间和电压过冲。
• 高电流密度
• 一流的 1200 V IGBT 效率和电磁干扰行为

简介

IKW40N120H3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW40N120H3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。