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IKW25N120CS7数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IKW25N120CS7 |
参数属性 | IKW25N120CS7 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:INDUSTRY 14 PG-TO247-3 |
功能描述 | 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IKW25N120CS7规格书详情
特性 Features
优势:
• Lowest losses on IGBT, high system efficiency for higher power output
• Higher power density without heatsink redesign
• Fast and easy replacement of predecessor T2 portfolio
• High device reliabiity in harsh operating condition
• Ease to design to meet EMI requirement
简介
IKW25N120CS7属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW25N120CS7晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IKW25N120CS7XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,25A
- 开关能量:
1.2mJ(开),1.1mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
21ns/160ns
- 测试条件:
600V,25A,6 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 描述:
INDUSTRY 14 PG-TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
IGBT |
2444 |
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
英飞翎 |
20+ |
TO-247 |
36900 |
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INFINEON |
24+ |
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21+ |
TO-247-3 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-247 |
10000 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-247 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
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NA |
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INFINEON |
22+ |
IGBT |
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INFINEON |
22+ |
NA |
10090 |
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