IKQ75N120CH3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

为响应市场需求，在更小、更节省空间的封装中容纳更多的硅片，英飞凌隆重推出全新封装 TO-247PLUS,适用于1200V HBM。电流能力大大提高，热性能得到改善。TO-247PLUS 的外形尺寸与行业标准 TO-247 相同，但由于没有螺孔，因此在 1200V 75A时,允许与全额定75A二极管共同封装。

特性 Features

• 高功率密度 - 高达75 A 1200 V IGBT，与75A 二极管共同封装在TO-247中
• 与TO-247 3引脚相比，R th(jh) 降低了20％
• 4.25 mm 的扩展集电器 - 发射极爬电距离
• 由于封装的正面完全密封，导致爬电延长

优势:
• 更高的系统功率密度Ic增加，保持相同的系统热性能
• TO-247PLUS 相比于 TO-247，其热阻 Rth（jh）较低，散热能力也提高了约15％
• 器件更可靠，更长寿

应用 Application

• 不间断电源 (UPS)
• 电池充电器
• 储能器
• 便携式焊接转换器

简介

IKQ75N120CH3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKQ75N120CH3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。