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IKQ75N120CH3	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 为响应市场需求，在更小、更节省空间的封装中容纳更多的硅片，英飞凌隆重推出全新封装 TO-247PLUS,适用于1200V HBM。电流能力大大提高，热性能得到改善。TO-247PLUS 的外形尺寸与行业标准 TO-247 相同，但由于没有螺孔，因此在 1200V 75A时,允许与全额定75A二极管共同封装。 • 高功率密度 - 高达75 A 1200 V IGBT，与75A 二极管共同封装在TO-247中\n• 与TO-247 3引脚相比，R th(jh) 降低了20％\n• 4.25 mm 的扩展集电器 - 发射极爬电距离\n• 由于封装的正面完全密封，导致爬电延长\n\n优势:\n• 更高的系统功率密度Ic增加，保持相同的系统热性能\n• TO-247PLUS 相比于 TO-247，其热阻 Rth（jh）较低，散热能力也提高了约15％\n• 器件更可靠，更长寿;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKQ75N120CH3	文件：2.09673 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K75MCH3；Package：PG-TO247-3-46；Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode 文件：2.09673 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKQ75N120CH3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 150A TO247-3-46	Infineon 英飞凌	Infineon
IKY75N120CH3	文件：2.04734 Mbytes Page：16 Pages	Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode 文件：2.04734 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
18 kHz
Switching Frequency max：
60 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
1200 V
IC @ 100° max：
75 A
VCE(sat)：
2 V
Qualification：
Industrial
Eon：
6.4 mJ
Eoff Hard Switching：
2.8 mJ
IF max：
75 A
Qrr：
5100 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IKQ75N120CH3
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
34 ns
tr：
47 ns
td(off)：
282 ns
tf：
29 ns
QGate：
370 nC
IC @ 25° max：
150 A
IFpuls max：
300 A
VF：
1.9 V
Irrm：
25 A
ICpuls max：
300 A
Soft Switching：
no

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