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IKY75N120CH3	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、75 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 PLUS 封装采用 TO247 PLUS 封装的硬开关 1200 V、75 A 高速 IGBT，具有软开关、快速恢复全电流额定反并联发射极控制二极管。4 引脚封装配置为栅极发射极控制环路提供了超低电感，并允许同时减少 E on 和 E off 损耗，总开关损耗 E ts 降低 20% • 极低的含量。电感环路\n • 用于驱动器反馈的发射极引脚\n • 降低开关损耗\n • 75 A、1200 V IGBT\n • 与 75 A 二极管共同封装\n • TO-247 封装\n • 更高的电流能力\n • 改善热性能\n • 延长 CE 爬电距离;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKY75N120CH3	文件：2.04734 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K75MCH3；Package：PG-TO247-4-2；Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode 文件：2.04734 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKY75N120CH3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-4；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 150A TO247-4	Infineon 英飞凌	Infineon
IKQ75N120CH3	文件：2.09673 Mbytes Page：16 Pages	Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode 文件：2.09673 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Eon：
3.4 mJ
IC(@100°) max：
75 A
IC(@25° ) max：
150 A
ICpulsmax：
300 A
IFmax：
75 A
IFpulsmax：
300 A
Irrm：
41 A
Ptotmax：
938 W
QGate：
370 nC
Qrr：
4900 nC
RGint：
0 Ω
RG：
6 Ω
td(off)：
303 ns
td(on)：
38 ns
tf：
32 ns
tr：
32 ns
VCE(sat)：
2 V
VCEmax：
1200 V
VF：
1.9 V
Package：
TO-247-3
Switching Frequency：
18 kHz to 60 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3

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