IKW08N120CS7数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号	IKW08N120CS7
参数属性	IKW08N120CS7 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：INDUSTRY 14 PG-TO247-3
功能描述	1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package INDUSTRY 14 PG-TO247-3
封装外壳	TO-247-3
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-7 23:00:00
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IKW08N120CS7规格书详情

特性 Features

优势:
• Lowest losses on IGBT, high system efficiency for higher power output
• Higher power density without heatsink redesign
• Fast and easy replacement of predecessor T2 portfolio
• High device reliabiity in harsh operating condition
• Ease to design to meet EMI requirement

简介

IKW08N120CS7属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW08N120CS7晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

产品编号：
IKW08N120CS7XKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，8A
开关能量：
370µJ（开），400µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/160ns
测试条件：
600V，8A，20 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3
描述：
INDUSTRY 14 PG-TO247-3

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