IKW30N60H3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

高速 600 V, 30 A 硬开关第三代 TRENCHSTOP™ IGBT，采用 TO247 封装并集成了续流二极管，在开关和导通损耗之间实现了较为出色的平衡。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为，实现了低关断损耗。

特性 Features

• 高效率，低开关损耗
• 得益于英飞凌知名的 TRENCHSTOP™ 技术，实现了出色的Vce(sat)。
• 快速开关行为，同时低电磁干扰辐射
• 针对目标应用的优化二极管，意味着进一步改善开关损耗
• 在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电阻选择（低至 5Ω）
• 短路能力为 5µs
• 提供最高 175°C的 Tj(max)
• 可带或可不带续流二极管的封装，增加了设计自由度

优势:
• 低开关和导通损耗
• 非常好的电磁干扰行为
• 可以与小型栅极电阻一起使用，以减少延迟时间和电压过冲。
• 高电流密度
• 出色的 600 V IGBT 效率和电磁干扰行为

简介

IKW30N60H3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW30N60H3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。