IKW30N65ES5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

采用 TO-247 封装的英飞凌 650 V，30 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT 适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用，可实现高效率和更快的产品上市周期，降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特性 Features

• 在 25°C 下，VCEsat 低至 1.35 V，比TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20%
• Ic脉冲电流的 4 倍 (100°C Tc)
• 软电流下降特性，无尾电流
• 对称的，电压过冲
• 栅极电压受到控制（无振动）。没有不必要的设备导通风险，也不需要栅极箝位
• 最高结温 Tvj= 175°C
• 质量符合 JEDEC 标准

优势:
• 不需要 VCEpeak 箝位电路
• 不需要栅极箝位元件
• 出色的 EMI 行为
• 非常适合并联

简介

IKW30N65ES5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW30N65ES5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。