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IKW30N65ET7数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IKW30N65ET7 |
| 参数属性 | IKW30N65ET7 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IKW30N65ET7XKSA1 |
| 功能描述 | 采用TO-247封装并带有反并联二极管的650 V, 30 A IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IKW30N65ET7规格书详情
特性 Features
优势:
简介
IKW30N65ET7属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW30N65ET7晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IKW30N65ET7XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.65V @ 15V，30A
- 开关能量：
590µJ（开），500µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/245ns
- 测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3
- 描述：
IKW30N65ET7XKSA1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
30000 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
7000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
